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Transistor à effet de champ SiC

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composant discret

marque：

Noyau de l'Tianqixin

Pd：

89500150833

Identifiant：

245030140355

VGS：

-10/+22-10/+25-10/±25

Vds：

75017001200

VGS (th)：

4.22.63.02.92.8

Trouvé 5 modèle

Modèle	Pd (mW)	Identifiant (A)	VGS	Vds (V)	VGS (th) (V)	Paquet	PDF
SKSC075N005-S7	833 mW	—	—	750 V	—	SOT-227
SKSC120N016-T74	—	—	—	1200 V	—	TO-247-4L
SKSC120N080G1-ST7	150 mW	—	—	1200 V	—	TO-263-7L
SKSC170N027-T7-4	500 mW	—	—	1700 V	—	TO-247-4L
SKSC75N095-T	89 mW	—	—	750 V	—	TO-220

Transistor à effet de champ SiC - Centre des produits - Tianqixin Technology