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Transistor à effet de champ haute pression
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Transistor à effet de champ haute pression
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composant discret
inductance
Processus de service de personnalisation des produits
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marque：
Noyau de l'Tianqixin
Pd：
28
51
75
45
54
30
85
56
86
126
120
125
Plus (12)
Identifiant：
1
12
11
9
6
5
4
3
2
8
4.5
7
Plus (3)
VGS：
±30
Vds：
650
900
500
800
1000
700
1200
1500
Trouvé
0
modèle
Modèle
Pd (mW)
Identifiant (A)
VGS
Vds (V)
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Transistor à effet de champ haute pression - Centre des produits - Tianqixin Technology
