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Transistor de puissance GAN
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Transistor de puissance GAN
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composant discret
inductance
Processus de service de personnalisation des produits
Recherche
marque：
Noyau de l'Tianqixin
Pd：
113
39
169
75
67.5
50
Identifiant：
17
4.8
30
10
13
VGS：
-1.4/7
±7
±20
-1.4/+7
Vds：
650
Trouvé
0
modèle
Modèle
Pd (mW)
Identifiant (A)
VGS
Vds (V)
Paquet
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Transistor de puissance GAN - Centre des produits - Tianqixin Technology
