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IGBT

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composant discret

marque：

Noyau de l'Tianqixin

Vce：

6501200

CI：

12075504020

Vge：

±20±30

VCEsat：

1.42.1121.691.561.581.631.82.4

VGE (th) Max.：

6.56.255.86

VGE (th) Min.：

54.84.23.83

Trouvé 11 modèle

Modèle	Vce (V)	CI (mA)	Vge (V)	VCEsat (V)	VGE (th) Max. (V)	VGE (th) Min. (V)	Paquet	PDF
SKIR15N120-T7	1200 V	—	±30 V	2.4 V	—	—	TO-247
SKIS40N120-T7	1200 V	—	±20 V	1.8 V	—	—	TO-247
SKIS50N65-T7	650 V	—	±20 V	1.4 V	—	—	TO-247
SKIS75N65-T7	650 V	—	±20 V	1.69 V	—	—	TO-247
SKIF75N65-T7	650 V	—	±20 V	1.63 V	—	—	TO-247
SKIF50N65-T7	650 V	—	±20 V	1.58 V	—	—	TO-247
SKIF75N65U-T7	650 V	—	±20 V	1.56 V	—	—	TO-247
SKIS75N65-T7-4	650 V	—	±20 V	1.69 V	—	—	TO-247-4L
SKIS75N120-T7	1200 V	—	±20 V	2 V	—	—	TO-247
SKIF75N120-T7	1200 V	—	±20 V	2.11 V	—	—	TO-247
SKIF120N65T7P	650 V	—	±20 V	1.4 V	—	—	TO-247Plus-3L

IGBT - Centre des produits - Tianqixin Technology